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500GB Samsung 850 Evo mSATA 6Gb/s TLC Toggle (MZ-M5E500BW)

Was versteht man unter 3D V-NAND und wie unterscheidet es sich von der bestehenden Technologie?
Die einzigartige innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung stellt einen Durchbruch bei der Überwindung von Beschränkungen der Dichte, Performance und Beständigkeit der herkömmlichen planaren NAND-Architektur dar. In 3D V-NANDs werden 32 Zellschichten vertikal übereinander geschichtet, statt die Ausmaße der Zellen zu verringern und so zu versuchen, mit einem festgelegten horizontalen Platzangebot auszukommen. Dadurch bietet die Technologie eine höhere Dichte und bessere Performance bei weniger Platzbedarf.

Optimieren Sie die Rechenleistung mithilfe der TurboWrite-Technologie und nutzen Sie unerreichte Geschwindigkeiten beim Lesen und Schreiben
Erreichen Sie mithilfe der TurboWrite-Technologie von Samsung optimale Lese / Schreibgeschwindigkeiten und holen Sie täglich das Maximum aus Ihrem Computer heraus. Im Vergleich zum 840 EVO zeigt das 850 EVO, teilweise dank der jetzt doppelt so schnellen zufälligen Schreibgeschwindigkeit**, eine um circa 13%* verbesserte Gesamtbenutzererfahrung. Mit einer sequentiellen Lesegeschwindigkeit von 540 MB/s bzw. einer Schreibgeschwindigkeit von 520 MB/s liefert das 850 EVO die beste Leistung seiner Klasse. Genießen Sie optimierte zufällige Schreib / Lese-Performance in allen Warteschlangentiefen (QD) für Client-PC-Anwendungsszenarien.

Vergrößern Sie den Datenspeicher mit dem RAPID-Modus
Das Samsung 850 EVO mSATA ist eine Hochgeschwindigkeitsmaschine. Mithilfe der neuesten Samsung Magician Software können Sie den RAPID-Modus aktivieren, um auf unbenutzten PC-Speicher (DRAM) zuzugreifen und diesen als Zwischenspeicher mit bis zu 25% der gesamten DRAM-Kapazität zu nutzen. Dank dieses erheblich vergrößerten Speichers wird die Datenverarbeitung beschleunigt und die zufällige QD kann im RAPID-Modus auf bis das Doppelte* ansteigen.

Langlebigkeit und Zuverlässigkeit, unterstützt durch 3D V-NAND-Technologie
Indem das 850 EVO den TBW-Wert (Total Bytes Written) im Vergleich zur vorherigen Generation 840 EVO verdoppelt* und zusätzlich eine in der Branche unerreichte 5-Jahresgarantie anbietet, liefert es eine garantierte Langlebigkeit und Zuverlässigkeit. Durch die Verbesserung der Leistung um bis zu 30% ermöglicht das 850 EVO eine nachhaltige Performance** und zählt somit zu den zuverlässigsten Speicherlösungen.

Energieeffizienz unterstützt durch 3D V-NAND
Ab dem 80 EVO wurde die 2 mW-Energiesparfunktion in den 840 EVO-Geräten eingeführt, und jetzt stellt das 850 EVO die hochmoderne 3D-NAND-Technologie vor (die 50% weniger Energie verbraucht als planares 2D-NAND). Damit erhalten Sie während der Schreibvorgänge um 25% mehr Leistungseffizienz*.

Verwendungsmöglichkeit in verschiedenen Gerätetypen dank flexiblem Formfaktor
Das vielseitige 850 EVO mSATA deckt alle Anwendungsmöglichkeiten ab, egal welchen Anschlusstyp oder welche physische Steckplatzgröße Ihr Gerät unterstützt. Das macht es zur idealen Wahl für die Desktops, Laptops und besonders für die durch extrem schmale Abmessungen beschränkten ultradünnen Tablet PCs von heute.

Artnr: 8624093
 
500GB Samsung 850 Evo mSATA 6Gb/s TLC Toggle (MZ-M5E500BW) In den Korb
In den Korb
250GB Samsung 850 Evo mSATA 6Gb/s TLC Toggle (MZ-M5E250BW)

Was ist 3D V - NAND und wie unterscheidet es sich von konventioneller Flash - Technologie?

Die einzigartige und innovative 3D V - NAND - Flash - Speicher - Architektur von Samsung überwindet die bei planarer NAND - Architektur vorhandenen Grenzen hinsichtlich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V - NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitigen Einsparungen bei der genutzten Fläche ermöglicht.

Optimieren Sie mit der 850 EVO die tägliche Arbeit am Computer mit der unerreichten Lese - und Schreibgeschwindigkeit der TurboWrite - Technologie.

Erleben Sie täglich ein Maximum an Lese - und Schreibleistung mit Samsungs TurboWrite - Technologie. Neben einer um mehr als 10 % höheren Gesamtleistung gegenüber der 840 EVO* sind zufällige Schreibzugriffe bei den Modellen mit 120 und 250 GB** 1,9 Mal so schnell. Die 850 EVO bietet im Vergleich zu ähnlichen Produkten von Mitbewerbern eine überlegene Leistung beim Lesen (540 MB/s) und Schreiben (520 MB/s). Darüber hinaus erhalten Sie eine für Client - PCs optimierte Leistung bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen (Queue Depth) hinweg.
* PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) < 7.600 (850 EVO) ** Random Write (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) < 88.000 IOPS (850 EVO)

Gehen Sie mit dem verbesserten RAPID - Modus auf die Überholspur

Verbessern Sie mit der Samsung Magician Software jederzeit die Leistung. Sie bietet den RAPID - Modus, die den Arbeitsspeicher (DRAM) des PCs als zusätzlichen Zwischenspeicher verwendet und so die Transferraten nochmals erheblich steigert. Mit der neuen Samsung Magician Software steigt die mögliche Arbeitsspeichernutzung im RAPID - Modus von 1 GB in der vorigen Version auf bis zu 4 GB, wenn im Computer 16 GB DRAM zur Verfügung stehen. Darüber hinaus erhalten Sie eine verdoppelte Leistung* bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen hinweg.
* PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 < 15.000 (RAPID mode)

Garantiert längere Lebensdauer und höhere Zuverlässigkeit durch die 3D V - NAND - Technologie

Die 850 EVO garantiert außergewöhnliche Lebensdauer und Zuverlässigkeit mit einem gegenüber der 840 EVO* Vorgängergeneration doppelt so hohen TBW - Wert (Total Bytes Written, Mindest - Gesamtschreibdatenmenge) und einer konkurrenzlos großzügigen, fünfjährigen Garantie. Die 850 EVO erreicht eine um bis zu 30 % längere Lebensdauer als die 840 EVO, was sie zu einem der zuverlässigsten Speichermedien** macht.
* TBW: 43 (840 EVO) < 75 (850 EVO 120/250 GB), 150 (850 EVO 500/1 TB) ** Sustained Performance (250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO) < 6.500 IOPS (850 EVO), Performance measured after 12 hours “Random Write” test

Arbeiten Sie länger - Dank der erhöhten Energieeffizienz durch 3D V - NAND

Die 850 EVO erzielt auf Notebooks längere Akkulaufzeiten dank des für 3D V - NAND optimierten SSD - Controllers, der Device Sleep (DEVSLP) unterstützt. Hierbei benötigt die SSD 850 EVO nur 2 mW an Leistung. Die 850 EVO spart außerdem bei Schreibzugriffen* etwa 25 % Energie im Vergleich zur 840 EVO, da 3D V - NAND nur etwa halb so viel Energie wie planares 2D NAND benötigt.
* Energie (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO)

Flexible Formfaktoren für verschiedenste Gerätetypen
Die SSD 850 EVO ist ausgesprochen vielseitig, denn die Varianten mit mSATA eignen sich für verschiedenste Gerätetypen wie Desktops, Laptops, Ultrabooks oder ultrakompakte Systeme wie Tablet PCs.

Artnr: 8624094
 
250GB Samsung 850 Evo mSATA 6Gb/s TLC Toggle (MZ-M5E250BW) In den Korb
In den Korb
1000GB Samsung 850 Evo mSATA 6Gb/s TLC Toggle (MZ-M5E1T0BW)

Was ist 3D V - NAND und wie unterscheidet es sich von konventioneller Flash - Technologie?

Die einzigartige und innovative 3D V - NAND - Flash - Speicher - Architektur von Samsung überwindet die bei planarer NAND - Architektur vorhandenen Grenzen hinsichtlich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V - NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitigen Einsparungen bei der genutzten Fläche ermöglicht.

Optimieren Sie mit der 850 EVO die tägliche Arbeit am Computer mit der unerreichten Lese - und Schreibgeschwindigkeit der TurboWrite - Technologie.

Erleben Sie täglich ein Maximum an Lese - und Schreibleistung mit Samsungs TurboWrite - Technologie. Neben einer um mehr als 10 % höheren Gesamtleistung gegenüber der 840 EVO* sind zufällige Schreibzugriffe bei den Modellen mit 120 und 250 GB** 1,9 Mal so schnell. Die 850 EVO bietet im Vergleich zu ähnlichen Produkten von Mitbewerbern eine überlegene Leistung beim Lesen (540 MB/s) und Schreiben (520 MB/s). Darüber hinaus erhalten Sie eine für Client - PCs optimierte Leistung bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen (Queue Depth) hinweg.
* PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) < 7.600 (850 EVO) ** Random Write (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) < 88.000 IOPS (850 EVO)

Gehen Sie mit dem verbesserten RAPID - Modus auf die Überholspur

Verbessern Sie mit der Samsung Magician Software jederzeit die Leistung. Sie bietet den RAPID - Modus, die den Arbeitsspeicher (DRAM) des PCs als zusätzlichen Zwischenspeicher verwendet und so die Transferraten nochmals erheblich steigert. Mit der neuen Samsung Magician Software steigt die mögliche Arbeitsspeichernutzung im RAPID - Modus von 1 GB in der vorigen Version auf bis zu 4 GB, wenn im Computer 16 GB DRAM zur Verfügung stehen. Darüber hinaus erhalten Sie eine verdoppelte Leistung* bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen hinweg.
* PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 < 15.000 (RAPID mode)

Garantiert längere Lebensdauer und höhere Zuverlässigkeit durch die 3D V - NAND - Technologie

Die 850 EVO garantiert außergewöhnliche Lebensdauer und Zuverlässigkeit mit einem gegenüber der 840 EVO* Vorgängergeneration doppelt so hohen TBW - Wert (Total Bytes Written, Mindest - Gesamtschreibdatenmenge) und einer konkurrenzlos großzügigen, fünfjährigen Garantie. Die 850 EVO erreicht eine um bis zu 30 % längere Lebensdauer als die 840 EVO, was sie zu einem der zuverlässigsten Speichermedien** macht.
* TBW: 43 (840 EVO) < 75 (850 EVO 120/250 GB), 150 (850 EVO 500/1 TB) ** Sustained Performance (250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO) < 6.500 IOPS (850 EVO), Performance measured after 12 hours “Random Write” test

Arbeiten Sie länger - Dank der erhöhten Energieeffizienz durch 3D V - NAND

Die 850 EVO erzielt auf Notebooks längere Akkulaufzeiten dank des für 3D V - NAND optimierten SSD - Controllers, der Device Sleep (DEVSLP) unterstützt. Hierbei benötigt die SSD 850 EVO nur 2 mW an Leistung. Die 850 EVO spart außerdem bei Schreibzugriffen* etwa 25 % Energie im Vergleich zur 840 EVO, da 3D V - NAND nur etwa halb so viel Energie wie planares 2D NAND benötigt.
* Energie (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO)

Flexible Formfaktoren für verschiedenste Gerätetypen
Die SSD 850 EVO ist ausgesprochen vielseitig, denn die Varianten mit mSATA eignen sich für verschiedenste Gerätetypen wie Desktops, Laptops, Ultrabooks oder ultrakompakte Systeme wie Tablet PCs.

Artnr: 8624096
 
1000GB Samsung 850 Evo mSATA 6Gb/s TLC Toggle (MZ-M5E1T0BW) In den Korb
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256GB ADATA Premier Pro SP310 mSATA 6Gb/s MLC (ASP310S3-256GM-C)

Das ADATA mSATA-SSD-Laufwerk SP310 ist eine hervorragende Option, um die Leistung Ihres Laptops oder Desktops aufzurüsten. Es hat die Vorteile eines SSD-Laufwerks: verringerte Wärme- und Geräuschentwicklung, geringer Stromverbrauch und schnellere Übertragungsgeschwindigkeiten (bis zu 540 MB/s beim Lesen und 280 MB/s beim Schreiben). Es kann als primäres Laufwerk (Boot-Laufwerk) oder, in Verbindung mit einer Festplatte, als Cache-Laufwerk genutzt werden.

SSD + HDD = Das Beste aus beiden Welten
In einem hybriden Setup bestehend aus SSD und HDD arbeitet die mSATA SSD als Cache-Laufwerk anstatt als reines Speicherlaufwerk. Mit dieser Konfiguration können Systeme ihre Geschwindigkeit, ähnlich Systemen mit einer SSDs als primärem Laufwerk, steigern und dabei trotzdem die höhere Speicherkapazität einer mechanischen Festplatte nutzen.

Kostengünstige Systemerweiterung
Ausgestattet mit einem JMicron-Controller und Multi-Level Cell (MLC) NAND-Flash-Chips liefert das Die SP310 mSATA SSD SP310 bis zu 76,000 IOPS (Maximum 4k random write). Wenn es in einer Hybrid-Konfiguration verwendet wird, ist die Leistung fast so hoch wie in Systemen, bei denen das SSD-Laufwerk das primäre Laufwerk ist. Und dies zu weitaus geringeren Kosten.

Große Hardwarekompatibilität
Die SP310 ist klein (50,95 x 30 x 4mm) und mit nur 7 g auch sehr leicht. Sie kann auf einer Vielzahl von Mainboards mit mSATA Steckplatz installiert werden, darunter Mainboards der Z77 Serie (ASUS Maximus V Gene; Gigabyte G1 Sniper 3, Z77X, und Z77P, Z77, H77, P75, B75; Asrock Z77E-ITX), Mainboards der Z68-Serie (Gigabyte Z68XP-UD3, Z68XP-D3, Z68AP-D3 und Z68P-DS3), sowie Laptops (Acer TM8481G; micro-GT70) und aktuelle Mainboards der Z87 Serie.

Unterstützt Intel® Smart Response-Technologie
Die Intel® Smart Response Technology (SRT) ist ein Caching-Mechanismus für aktuelle Intel Chipsätze, mit der ein SATA SSD-Laufwerk als Cache für ein mechanisches Laufwerk kombiniert werden kann. Die Premier Pro SP310 lässt sich sehr einfach mit SRT einrichten.

Artnr: 8650840
 
256GB ADATA Premier Pro SP310 mSATA 6Gb/s MLC (ASP310S3-256GM-C) In den Korb
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